在2019年拉斯維加斯舉行的“首看”活動(dòng)中，三星發(fā)布了一款新型模塊化75英寸4K分辨率微型LED顯示屏：“窗”，與三星2018年在CES上推出的“墻”相比，“窗”芯片密度更高，分辨率更好，展品令人驚嘆，引起了業(yè)界的關(guān)注和討論。目前，微型LED顯示技術(shù)正處于蓬勃發(fā)展的階段，正在向市場(chǎng)應(yīng)用靠攏，并對(duì)未來(lái)充滿期待。 
微LED知識(shí)館 
微型LED顯示器的結(jié)構(gòu)是一個(gè)微型LED陣列。目前，單個(gè)微型LED芯片的尺寸可以小于10μm，是傳統(tǒng)LED尺寸的1%。每個(gè)微光LED可以看作一個(gè)像素，每個(gè)像素可以實(shí)現(xiàn)地址控制和單獨(dú)的驅(qū)動(dòng)器自發(fā)光。在結(jié)構(gòu)上，微LED是由P型GaN材料和N型GaN材料緊密接觸形成的P-N結(jié)接觸型二極管。當(dāng)正向電壓施加于P N結(jié)時(shí)，即正向電壓施加于P型GaN側(cè)，負(fù)向電壓施加于N型GaN側(cè)，PN結(jié)兩側(cè)的載流子可以容易地相互形成。運(yùn)動(dòng)，然后電子空穴的輻射復(fù)合，產(chǎn)生光發(fā)射。微LED陣列通過(guò)垂直交錯(cuò)的正負(fù)極柵電極連接每個(gè)微LED的正負(fù)極，并通過(guò)電極線依次通電以掃描方式點(diǎn)亮微LED以顯示圖像。 

由于微LED芯片特殊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和發(fā)光原理，基于微LED芯片的顯示器具有像素高、色彩飽和度高、功耗低、亮度高、響應(yīng)快、壽命長(zhǎng)等顯著優(yōu)點(diǎn)。在顯示質(zhì)量方面，Micro-LED的尺寸可以小到10μm，因此Micro-LED顯示屏可以集成極高的像素密度。據(jù)相關(guān)資料顯示，目前市場(chǎng)上的OLED顯示屏iPhoneX像素密度為458ppi，而微顯示屏的像素密度可以達(dá)到2000ppi或更高；在性能方面，微LED是由無(wú)機(jī)材料組成，相比之下有機(jī)發(fā)光材料更容易被OLED燒毀。Micro-LED屏幕將持續(xù)更長(zhǎng)時(shí)間；在技術(shù)層面，Micro-LED顯示為單點(diǎn)驅(qū)動(dòng)自發(fā)光技術(shù)，具有超快速響應(yīng)速度和納秒（ns）效率。例如在虛擬現(xiàn)實(shí)行業(yè)中，由于微LED的響應(yīng)速度極快，可以有效地解決抹黑和延時(shí)問(wèn)題，消除虛擬現(xiàn)實(shí)用戶的眩暈，大大提高沉浸感，提升用戶體驗(yàn)。在能耗方面，PN結(jié)是一種典型的高亮度、低功耗的微LED結(jié)構(gòu)，可以提高可穿戴器件的使用壽命。 

正是因?yàn)槿绱藘?yōu)異的性能，吸引了三星、LG、索尼、京東方、華星等面板廠商積極開(kāi)展技術(shù)研發(fā)儲(chǔ)備，微LED顯示技術(shù)正迅速發(fā)展。 
微型LED顯示屏中的關(guān)鍵激光剝離技術(shù) 
微型LED顯示屏具有優(yōu)越的性能，但在技術(shù)層面上仍有待突破。其中的關(guān)鍵技術(shù)之一是外延襯底的剝離。基于GaN發(fā)光材料的微LED芯片具有較低的晶格失配度，且價(jià)格低廉，因此藍(lán)寶石襯底成為外延生長(zhǎng)GaN材料的主流襯底。然而，藍(lán)寶石襯底的非導(dǎo)電性和較差的導(dǎo)熱性影響了微LED器件的發(fā)光效率。同時(shí)，脆性材料藍(lán)寶石不利于微LED在柔性顯示方向上的應(yīng)用?；谝陨显蚝臀ED顯示屏本身的高分辨率、高亮度、高對(duì)比度等優(yōu)點(diǎn)，激光剝離藍(lán)寶石是必不可少的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，而激光剝離技術(shù)可以突出微LED的優(yōu)勢(shì)。 
激光剝離過(guò)程本質(zhì)上是一種單脈沖掃描過(guò)程，因此對(duì)激光束的均勻性和穩(wěn)定性有很高的要求。由于對(duì)激光技術(shù)和工藝穩(wěn)定性的要求極高，世界上擁有這項(xiàng)技術(shù)并能用于穩(wěn)定生產(chǎn)的公司并不多?，F(xiàn)階段，國(guó)內(nèi)激光器大多是穩(wěn)定生產(chǎn)的代表。